个人概况：

姓名：霍晓迪

职称：讲师

籍贯：山东省滨州市

最高学历：研究生

最高学位：博士

研究方向：半导体材料

电子邮箱：huoxiaodi19@mails.ucas.ac.cn

教育背景以及研究工作经历：

2022/10 - 至今：bwin必赢网站，bwin必赢官网，讲师

2019/09 - 2022/06：中国科学院大学（中国科学院半导体研究所），材料物理与化学专业，博士

2012/07 - 2019/07：京东方科技集团股份有限公司，高级工程师

研究领域：

（1）半导体金刚石晶片的制备及其性能表征

（2）生产金刚石设备研发与制造

（3）金刚石基电子器件的研发与制备

主讲课程：

《半导体制造工艺基础》、《数据结构与算法》、《物联网信息安全》

学术任职：

bwin必赢官网分学术委员会委员。

代表性项目：

1.bwin必赢网站校级基金，项目名称：用于金刚石异质外延的衬底制备和机理研究，2023.01 - 2025.12，在研，主持。

代表性成果（论文、发明专利）：

（1） Zhen Wang, Peng Jin, Pengfei Qu,Dunzhou Xu, Xiaodi Huo, Ju Wu, Zhanguo Wang. The ab initio study of n-type nitrogen and gallium co-doped diamond[J]. Semiconductor Science and Technology.2024.

（2）ZHOU G, QU P, HUO X, JIN P, WU J, WANG Z. The deposition of Ir/YSZ double-layer thin films on silicon by PLD and magnetron sputtering: Growth kinetics and the effects of oxygen[J]. Results in Physics, 2023,47:106357.

（3） FENG M, JIN P, MENG X, XU P, HUO X, ZHOU G, QU P, WU J, WANG Z. Performance of metal-semiconductor-metal structured diamond deep-ultraviolet photodetector with a large active area[J]. Journal of Physics D: Applied Physics, 2022,55(40):404005.

（4） XU P, JIN P, FENG M, QU P, HUO X, WU J, WANG Z. TCAD simulation of vertical diamond MISFET based on deep depletion characteristics with high current output capacity[J]. Micro and Nanostructures, 2022,169:207368.

（5） Xiaodi Huo, Guangdi Zhou, Mengyang Feng, Peng Jin, Ju Wu, Zhanguo Wang. Effects of deposition time on growth of Ir buffer layer on MgO(100) support layer by magnetron sputtering[J]. Results in Physics.2021.

（6）霍晓迪,陈兵,李知勋,李淳东,刘华锋.过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究[J].液晶与显示,2016,31(01):58-61.

（7）霍晓迪，王青，梁军，张凯，穆明. 微弧氧化一步制备石墨-PTFE共添加的自润滑膜层[J].摩擦学学报. 2012, 32 (2): 133-138.

（8）王青，霍晓迪，兰斌，张海峰，张晓楠. Fe掺杂TiO2结构和磁性[J]. 兰州理工大学学报. 2012, 38 (3).

（9） WANG Qing, ZHANG Xiaonan, HUO Xiaodi, ZHANG Renhui, DAI Jianfeng. Study of nanocrystalline ZnO and Zn2TiO4 film electrode with ZnP  c Dye and PbS quantum dots composite sensitization[J]. Advanced Materials Research. 2011, 287-290, 2217-2220.

（10）隔热导电偏压衬底托，专利号：CN202010735304.8（授权）

（11）一种高均一性半导体膜的生长装置及制备方法，专利号：CN202010735303.3（授权）

（12）用于异质外延的石墨烯中间柔性衬底及其制备方法，专利号：202010146464.9（授权）

指导学生情况：

（1）bwin必赢网站2024年大学生创新大赛校赛一等奖。